Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников - pismo.netnado.ru o_O
Главная
Поиск по ключевым словам:
Похожие работы
Название работы Кол-во страниц Размер
Лабораторная работа Исследование свойств полупроводников методом... 3 327.17kb.
Рабочая программа по физике 10 класс Мякишев, Буховцев умк мякишев Г. 1 146.58kb.
Обучающие трехуровневые тесты по физике: сайт В. И. Регельмана 1 59.71kb.
Демонстрационный эксперимент 2 375.42kb.
Наиболее типичные ошибки, допускаемые в квазисовременной абстрактной... 1 95.28kb.
Тематическое планирование учебного материала по физике в 11 классе... 3 611.43kb.
Игра по физике "Умники и умницы" 1 75.68kb.
Понятие вещества одно из важнейших не только в физике, но и в науке... 1 26.61kb.
№ п/п Название сайта или статьи 1 222.35kb.
Нобелевские лауреаты по физике 1 182.12kb.
План-график подготовки выпускников основной школы к проведению государственной... 1 118.43kb.
Реферат на тему «Виды теплопередачи» ученица 10 класса Родина Марина... 1 64.37kb.
Урок литературы «Война глазами детей» 1 78.68kb.
Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников - страница №1/11

Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников

В. Н. Белоозеров (ВИНИТИ РАН)
Н. Н. Шабурова (ИФП СО РАН)

Введение


Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников» является информационно-поисковым тезаурусом в соответствии с ГОСТ 7.25.1) Он разработан в качестве компонента системы тематического поиска литературы по физике полупроводников в среде информационных ресурсов, содержание которых описывается различными классификациями отраслей знания. Единицами тезауруса являются дескрипторы, представленные кодами и наименованиями (ключевыми словами) классификационных рубрик четырёх авторитетных в области научной и технической информации классификаций – Универсальной десятичной классификации (УДК), Библиотечно-библиографической классификации (ББК), Государственного рубрикатора научно-технической информации (ГРНТИ), Рубрикатора отраслей знания Всероссийского института научной и технической информации (ВИНИТИ).
Ссылки:

С – синоним

См – отсылка от аскриптора (нерекомендованного термина) к синонимичному дескриптору.

В – вышестоящий, более широкий дескриптор, обозначающий родовое понятие или целый объект, в котором частью является заглавное понятие

Н – нижестоящий дескриптор, обратный к вышестоящему.

А – ассоциативное понятие, практически синоним при тематическом поиске литературы.


Лексико-семантический указатель дескрипторов

Латиница


N-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.35.21
В: вольтамперные характеристики
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: генерация СВЧ /в полупроводниках/
Н: домены /в полупроводниках/
Н: эффект Ганна /в полупроводниках/

p-n-переходы = Переходная область в контакте между полупроводниками с электронной (n) и дырочной (p) проводимостью


ББК В379.231.21
ВИНИТИ 291.19.31.33.23
В: барьерные эффекты в полупроводниках
В: неоднородные системы /в полупроводниках/
Н: гетеропереходы /в полупроводниках/
Н: классические сверхрешётки /в полупроводниках/
Н: комбинации p-n-переходов
Н: контакты /полупроводников/
Н: объёмные неоднородности /в полупроводниках/
Н поверхность /: влияние на неоднородности в полупроводниках/
Н: слоистые структуры /в полупроводниках/
Н: туннельные контакты /полупроводников/
Н: эффекты поля / неоднородные системы в полупроводниках/

S-образные вольтамперные характеристики /полупроводников/


ВИНИТИ 291.19.31.35.25
В: вольтамперные характеристики
В: неустойчивости /в полупроводниках/
Н: шнурование

А а


автоэлектронная эмиссия /в полупроводниках/ = выход электронов из металла или полупроводника под действием сильного электрического поля
ВИНИТИ 291.19.31.37.23
С: туннельная эмиссия
В: эмиссионные явления и электронная спектроскопия /полупроводников/

агрегатное состояние – действие на проводимость


УДК 537.312.64
В: температура – действие на проводимость

акустические явления в конденсированном веществе


УДК 538.951
В: свойства и явления в конденсированном веществе
А: механические явления в конденсированном веществе

акустические явления в аморфных полупроводниках


ВИНИТИ 291.19.31.27.25
В: аморфные полупроводники – физика
В: акустические явления в полупроводниках

акустические явления в полупроводниках


ББК В379.231.7
ВИНИТИ 291.19.31.27
В: акустические явления в конденсированном веществе
B: полупроводники
Н: магнитное поле /влияние на акустику полупроводников/
Н: нелинейные электро- и магнито-акустические эффекты /в поупроводниках/
Н: поглощение и распространение звука /в полупроводниках/
Н: пьезоэффект /акустика полупроводников/
Н: электроакустическое преобразование /в полупроводниках/
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках

акустооптика /полупроводников/ = раздел физики, изучающий взаимодействие оптических и акустических волн (акустооптическое взаимодействие), а также раздел техники, в рамках которого разрабатываются и исследуются приборы, использующие акустооптическое взаимодействие


ББК В379.24…
В: акустические свойства полупроводников

акусторезистивный эффект в полупроводниках


ББК В379.231.2
В: электронные явления в полупроводниках

акустоэлектрические домены = области сильного электрического поля и большой интенсивности низкочастотных акустических фононов (акустических шумов} в полупроводнике, возникающие при усилении фононов дрейфом носителей заряда


ВИНИТИ 291.19.31.35.19
В: акустоэлектрические явления в полупроводниках
В: неустойчивости /в полупроводниках/

акустоэлектрические явления в полупроводниках


ББК В379.231.7
С: электроакустические явления в полупроводниках
В: электрические свойства полупроводников
В: электронные явления в полупроводниках
Н: акустоэлектрические домены
Н: акустомагнетоэлектронный эффект в полупроводниках

акцептор /в структуре полупроводника/ = Примесный атом или дефект кристаллической решётки, создающий в запрещённой зоне полупроводника свободный энергетический уровень, на который легко переходит валентный электрон, оставляя в валентной зоне дырку


ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки полупроводников

алмазы и алмазоподобные полупроводники – физика


ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

алюминий и его соединения – полупроводниковые свойства


ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

аморфно-кристаллические полупроводники


ВИНИТИ 291.19.31.47
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники

аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники


ВИНИТИ 291.19.31.47
В: полупроводники
Н: аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники
Н: гальваномагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: диэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: оптические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термомагнитные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: термоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: фотоструктурные свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: фотоэлектрические свойства /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/
Н: электропроводность /аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники/

аморфные полупроводники = Тела в аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников


ББК В379.212.4
В: аморфные и аморфно-кристаллические полупроводники
Н: аморфные полупроводники – физика

аморфные полупроводники – физика


ББК В379.212.4
В: аморфные полупроводники
В: структура полупроводников
Н: акустические явления в аморфных полупроводниках
Н: высокочастотные кинетические явления в аморфных полупроводниках
Н: люминесценция в аморфных полупроводниках
Н: неустойчивости в аморфных полупроводниках
Н: статистико-термодинамические свойства аморфных полупроводников
Н: фотоэлектрические явления в аморфных полупроводниках
Н: энергетический спектр аморфных полупроводников
А: неупорядоченные полупроводники – физические свойства
А: стеклообразные полупроводники – физика

анизотропная электропроводность полупроводников


ББК В379.231.2
В: анизотропные полупроводники
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: электронные явления в полупроводниках

анизотропные полупроводники = полупроводники, свойства которых неодинаковы по различным направлениям


ББК 379.2
В: изотропия и анизотропия /электрических свойств/
В: структура полупроводников
В: физика полупроводников
Н: анизотропная электропроводность полупроводников

антисегнетоэлектрики = диэлектрики, не являющиеся сегнетоэлектриками, но обладающие определенной спецификой электрических свойств. Основной признак антисегнетоэлектрика - наличие структурного фазового перехода, сопровождающегося значительной аномалией диэлектрической проницаемости


ГРНТИ 29.19.35
В: физика твёрдых тел

антиферромагнетизм /полупроводников/ = одно из магнитных состояний вещества, отличающееся тем, что элементарные (атомные) магнитики соседних частиц вещества ориентированы навстречу друг другу (антипараллельно), и поэтому намагниченность тела в целом очень мала. Этим А. отличается от ферромагнетизма, при котором одинаковая ориентация элементарных магнитиков приводит к высокой намагниченности тела.


ББК В379.233.4
В: антиферромагнетизм – теория
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные свойства полупроводников

антиферромагнетизм – теория


УДК 537.611.45
В: магнетизм – теория
Н: антиферромагнетизм полупроводников

антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм


ГРНТИ 29.19.43
В: физика твёрдых тел
Н: антиферромагнетизм полупроводников
Н: антиферромагнитные материалы

антиферромагнитные материалы


УДК 537.622.5
В: антиферромагнетики и слабый ферромагнетизм
В: магнитные свойства материалов

антиферромагнитный резонанс = одна из разновидностей электронного магнитного резонанса, которая проявляется как резкое возрастание поглощения электромагнитной энергии, проходящей через антиферромагнетик (БСЭ)


УДК 537.635:537.611.45
В: магнитные резонансы
Н: магнитный резонанс в полупроводниках
Н: ферримагнитный резонанс
Н: ферромагнитный резонанс

следующая страница >>